來源：e鍵打印
發布時間：2015-06-04 09:14:05
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現有技術如計算機芯片和材料正在越來越多地在納米級制造，增材制造工藝也是如此。 近日，由申鉉金教授領導的韓國高等科學和技術（KAIST）院化學和生物分子工程系的一個研究小組已開發出一種新型光刻技術，利用氧擴散對微型圖形的功能形狀進行控制。
也被稱為光學光刻或EUV光刻，光刻技術采用一些與攝像同樣的基本原則，即圖形在被曝光后映射。它是一種通過曝光光致抗蝕劑層區域，將微型圖形轉印到襯底上的標準工藝，廣泛應用于半導體工業以制造計算機芯片。
與絲網法工藝轉印不同顏色的墨水到T恤、海報和其他打印的物體上類似，傳統的
光刻技術依賴于光掩膜來保護襯底區域免受曝光。被掩蔽區域覆蓋的區域保持底層的完整，已被曝光的底層被沖走，最終創建最后的微型圖形。 此前，由于與光源方向平行布置的已曝光區域和頂層區域之間的界限，這一技術已被限制為二維設計。
然而，通過申教授和其研究團隊開展的光刻研究，他們發現了氧濃度降低的暴漏在UV光下的區域，導致氧擴散，以及操縱擴散速度和能夠控制聚合物總體增長、形狀和大小的方向。
作為其研究的結果，該團隊已創建出基于光刻原理（通過利用氧的存在實現三維結構的微型圖形生產）的新技術。不同工藝中使用的氧濃度的不同引起UV光下區域的氧擴散。最終，工藝中的抑制劑的使用實現復雜和三維微型圖形的制造。
這項新技術將用于增強三維聚合物制造工藝，這一工藝之前被認為不能用于商業用途。
申教授稱，“雖然3D打印被認為是一種創新型制造技術，但它不能用于微觀產品的大規模生產。” “新的光刻技術將對學術界和工業界產生廣泛的影響，尤其是因為現有傳統光刻設備可用于更復雜微型圖形的開發。”來自工業和信息化部電子科學技術情報研究所的宋文文這樣認為。
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